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首頁進口晶振貼片晶振,愛普生晶振,SG-8002JC晶振,安卓手機晶振

貼片晶振,愛普生晶振,SG-8002JC晶振,安卓手機晶振

編號：50629167
頻率：1.0~125.0MHZ
尺寸：10.5*5.0mm

愛普生有源晶振,SG-8002JC晶振,安卓手機晶振,有源晶振是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15A以下,編帶...

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貼片晶振,愛普生有源晶振,SG-8002JC晶振,安卓手機晶振, 有源晶振是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

晶振參數	符號	SG-8002JC
標準頻率	fo	1.0MHZ to 125.0MHZ
電源電壓	Vcc	4.5V~5.5V
存儲溫度	T_stg	-55℃~+125℃
工作溫度	T_use	-20℃~+70℃
頻率公差	F_tol	±50.0 × 10^-6 Max
電流消耗	Icc	30 mA MAX
輸出當前禁用	I_dis	16 mA MAX
靜態電流	I_std	50 uA MAX
對稱性	SYM	40% to 60%
輸出負載	L_CMOS	15pF Max
輸出電壓	VOH	Vcc-0.4V Min
輸出電壓	VOL	0.4V Max
上升/下降時間	tr/tf	3ns Max
啟動時間	T_str	10ms Max
頻率老化	F_aging	±5.0 × 10^-6 / years Max

石英晶體共振子應用在并聯振蕩線路上, 振蕩頻率與負載電容CL有很大的關系. 這在前面的公式(3)就可以看到. (圖) 是以并聯振蕩線路上FL頻率對負載電容CL的變化曲線示意圖.

頻率的“牽引率”指的是負載電容CL1的頻率FL1到負載電容CL2的頻率FL2的頻率變化. 在(圖十一)中可以是FL1(CL=24pF)與FL2(CL=10pF)的頻率變化值. 在這個例子中的頻率牽引率是 220 ppm. 若我們將CL1與CL2的負載電容值趨近極小化(曲線作數學上的微分), 就會得到曲線的切線值. 這個切線值就是用某一個負載電容的敏感度( trim sensitivity ).
在(圖)中, CL=24 pF 時的頻率敏感度是10 ppm/pF, 及CL=10 pF時的頻率敏感度是20 ppm/pF. 在并聯線路中, 負載電容越小, 頻率對負載電容變化的敏感度越高. 相反的, 負載電容越大, 頻率對負載電容變化的敏感度越低. 這就是石英晶體共振子用于VCXO線路上時, 線路設計上會選用較小負載電容. 反之, 在要求較準確的頻率信號時, 線路設計上會選用較高的負載電容.

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